Кремниевые эпитаксиальные структуры
ЗАО «Эпиэл» располагает технологиями и оборудованием, которые позволяют изготавливать эпитаксиальные структуры с широким диапазоном параметров для различных применений, среди которых:
- интегральные схемы различной степени интеграции
- мало-сигнальные транзисторы
- силовые транзисторы
- IGBT
- DMOS
- диоды Шоттки
- ультра-быстрые диоды
Мы производим эпитаксиальные структуры как на собственных подложках, так и на пластинах заказчика.
Производителям интегральных схем мы оказываем услуги по наращиваю эпитаксиальных слоев на пластинах со скрытыми слоями (ионно-легированные и диффузионные структуры).
| Диапазон параметров Кремниевых Эпитаксиальных Структур | |
|---|---|
| Диаметр подложки | 76 мм, 100 мм, 150 мм + 200 мм (начиная с 2012 г.) |
| Ориентация | (111), (100) |
| Легирующая примесь подложки | Сурьма, Бор, Мышьяк |
| Толщина эпитаксиального слоя, мкм | 3,0 – 150 |
| Легирующая примесь эпитаксиального слоя | Фосфор, Бор, Мышьяк |
| Удельное сопротивление эпитаксиального слоя, Ом.см |
|
| n-тип | 0,01 – 500 |
| p-тип | 0,01 – 100 |
| Типы однослойных структур | n-n+, p-n+, p-p+, n-p+ |
| Типы двухслойных структур | n1-n2-n+, n1-n2-p+, n-p-n+, p-n-p |
| Эпитаксия на пластинах со скрытыми слоями | до 3-х скрытых слоев |
