ЭПИструктуры для ЭЛектроники
ENG  |  RUS 

Эпитаксиальные структуры Кремний на Сапфире (КНС)

В 2007 году в ЗАО «Эпиэл» было успешно освоено и развивалось производство эпитаксиальных структур Кремний на Сапфире (КНС) диаметром 76 мм. Сегодня мы производим структуры КНС диаметром 76, 100 и 150 мм для таких применений как:

  • Тензо-модули
  • Спецстойкие интегральные схемы (СБИС спецназначения)
Диапазон параметров Структур КНС
Диаметр подложки 76 мм, 100 мм, 150 мм
Ориентация (1012) ± 1º
Легирующая примесь подложки -
Толщина эпитаксиального слоя, мкм 0,3 – 2,0
Легирующая примесь эпитаксиального слоя Фосфор, Бор
Удельное сопротивление эпитаксиального слоя, Ом.см
n-тип в соответствии со спецификацией
p-тип 1,0 – 0,01

Отправить запрос


Возврат к списку

Москва, Зеленоград, 1-ый Западный проезд 12, стр. 2 (на карте)
Телефон/факс: +7 (495) 229 7303, +7 (495) 229 7302
coweb