ОКР Разработка технологии изготовления эпитаксиальных структур кремния n-n+ типа с переменным профилем легирования эпитаксиального слоя диаметром до 200 мм для ДМОП транзисторов

Одним из решений, которое позволит выпустить на рынок высоковольтные ДМОП транзисторы с конкурентными ценой и параметрами, является использование для изготовления транзисторов эпитаксиальных структур с переменным профилем легирования эпитаксиального слоя. Переменный профиль удельного сопротивления эпитаксиального слоя обеспечит возможность уменьшения площади кристалла без ухудшения параметров. Меньшая площадь приведет к удешевлению кристалла, позволит оптимизировать размеры и конструкцию корпуса, позволит снизить потребляемую мощность.